Start » Diody - PROMETEUSZ

Diody na bazie ZnO – PROMETEUSZ

17 września 2009 0 Komentarzy

nanotechnologiaProjekt PROMETEUSZ w sposób oczywisty kojarzy się ze światłem. W ramach projektu zajmujemy się badaniem nanoMATERIAŁÓW pod kątem optoelektroniki. Głównym obiektem naszych zainteresowań jest tlenek cynku ZnO. Jest to półprzewodnik typu n z szeroką przerwą zabronioną 3,37 elektronowolta, co odpowiada długości fali ultrafioletu (UV). W naszych badaniach koncentrujemy się na przesunięciu widma emisji w kierunku światła widzialnego. Cel ten można osiągnąć poprzez zmianę przerwy zabronionej materiału, co natomiast uzyskuje się przez wprowadzenie defektów, domieszkowanie lub nanoSTRUKTURY o zmiennej średnicy.

Defekty można otrzymać także poprzez wprowadzenie domieszki. Bardzo popularnym sposobem modyfikowania ZnO jest wbudowywanie atomów węgla w sieć krystaliczną ZnO, a następnie wypalanie go. To owocuje tym, że w miejscach sieci, w których występował węgiel pojawiają się wakanse. Można otrzymać efekt “świecenia defektami”.

Wprowadzenie domieszki mana celu uzyskanie dodatkowego poziomu energetycznego. Jak donosi literatura szczególnie ciekawymi materiałami do takich badań są lantanowce, gdyż one w przerwie zabronionej półprzewodnika tworzą nie tylko poziom energetyczny, ale całe pasmo.

W literaturze z ostatnich lat można się spotkać z publikacjami na temat zmian szerokości pasma zabronionego razem ze zmianami wielkości materiału. Zjawiska takie zachodzą w quasi jednowymiarowych strukturach (1D struktury). Dobrym przykładem jest nanoIGŁA, czyli nanoPRĘT, który zwęża się ku górze. Zmienną średnicą cechuje się także nanoPIRAMIDA.

VN:F [1.6.4_902]
Rating: 1.5/5 (2 votes cast)

Dodaj komentarz!

Musisz być zalogowany aby dodać komentarz do wpisu.